[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201010519048.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102122792A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 荒木田孝博;内田史朗;汐先政贵;前田修 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件，通过简单的制造工艺实现提高的光检测精度。除了用于窄化电流的第一氧化层之外，在活性层和半导体光检测元件之间设置一个或多个第二氧化层。由于自发发射光包括许多发散分量，自发发射光被第二氧化层反射和散射，则抑制了自发发射光向半导体光检测元件侧的传播。经半导体光检测元件的自发发射光的检测强度降低，从而提高了光检测精度。第一和第二氧化层通过单一的氧化工艺形成，使得制造工艺被简化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：在衬底上的半导体光检测元件；以及在所述半导体光检测元件上的面发光半导体激光元件，其中，所述面发光半导体激光元件包括：第一多层反射膜，在所述半导体光检测元件上；活性层，设置在所述第一多层反射膜上并且包括发光区域；第二多层反射膜，在所述活性层上；第一氧化层，设置在所述第一多层反射膜或所述第二多层反射膜中，具有与所述活性层中的所述发光区域相对的用于通过电流的开口，并且具有在所述开口的外围的氧化区域；以及一个或多个第二氧化层，设置在所述活性层和所述半导体光检测元件之间，具有与所述第一氧化层中的所述开口相对的开口，并且具有在所述开口的外围的氧化区域。
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