[发明专利]带有介电层组的半导体元件在审
申请号: | 201010519976.1 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102074553A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | W·沃纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L23/522 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曹若;梁冰 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 半导体元件具有半导体区域、与该半导体区域相邻的第一导电层、带有第一介电特性的第一介电层和带有第二介电特性的第二介电层。这时,该第一介电特性不同于第二介电特性。第一介电层和第二介电层安排在该半导体区域和该第一导电层之间。第二导电层设置在第一介电层和第二介电层之间。在该第一导电层和半导体区域10之间连接分压器。该第二导电层只与这个分压器电连接。 | ||
搜索关键词: | 带有 介电层组 半导体 元件 | ||
【主权项】:
半导体元件,具有:·半导体区域(10),·与该半导体区域(10)相邻的第一导电层(20),·带有第一介电特性的第一介电层(30),·带有第二介电特性的第二介电层(40),其中该第一介电特性不同于第二介电特性,而且第一介电层(30)和第二介电层(40)处于半导体区域(10)和第一导电层(20)之间,·第二导电层(50),其安排在第一介电层(30)和第二介电层(40)之间,·分压器(60),其接在第一导电层(20)和半导体区域(10)之间,其中第二导电层(50)只与分压器(60)导电连接。
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