[发明专利]控制背孔剖面形状的方法有效
| 申请号： | 201010520274.5 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456611A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果;罗卫军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积多层金属薄膜，多层金属薄膜中的各层对底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；刻蚀去除底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；以底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对底层材料进行刻蚀，利用多层金属薄膜对底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得了倾斜的刻蚀剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 剖面 形状 方法 | ||
【主权项】：
一种控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，包括：在底层材料上沉积多层金属薄膜，所述多层金属薄膜中的各层对所述底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；刻蚀去除所述底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；以所述底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对所述底层材料进行刻蚀，利用所述多层金属薄膜对所述底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010520274.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：影像感测器
- 下一篇：用来进行数据整形的方法以及相关的记忆装置及其控制器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
