[发明专利]酞菁化合物及有机薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201010520550.8 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102002047A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 耿延候;田洪坤;董少强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种酞菁化合物及有机薄膜晶体管，本发明向酞菁核周边的四个苯环上各引入一个烷基起到改善溶解性的作用；并且，四个烷基位于非外围位置，可以将烷基对酞菁核在薄膜中的排列方式的影响降到最低，以实现高的场效应迁移率；此外，中心配体金属原子钛或钒能够调节四烷基取代酞菁的电子结构，烷基、中心配体金属原子的协同效应调控四烷基取代酞菁薄膜的堆积方式，使有机薄膜晶体管的半导体层中酞菁分子的刚性平面垂直于基板排列。本发明提供的酞菁化合物丰富了酞菁化合物的种类，并获得具有较高迁移率的有机薄膜晶体管。实验结果表明，本发明提供的有机薄膜晶体管中的半导体层的载流子迁移率达到0.2cm2/V·s。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 有机 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种如式(I)所示的酞菁化合物，![]()
式(I)，其中，R1、R2、R3和R4为相同的烷基；R1在1或4位中的任一位置；R2在8或11位中的任一位置；R3在15或18位中的任一位置；R4在22或25位中的任一位置；M为钛或钒。
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