[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201010521172.5 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN102237439A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 李文钦;严文材;陈鼎元;余良胜;张玉函 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池的制造方法。上述方法是利用在一基板上依序溅镀靶材或共同溅镀靶材,然后对基板退火来制造来太阳能电池中的含硫化硫属化合物吸收物,上述靶材的其中之一包含一硫化合物。在一不含硫环境下进行上述退火且避免使用危险的硫化氢气体。形成的上述硫化硫属化合物具有一硫浓度梯度。相较于使用两道退火步骤的其他工艺,本发明的工艺简易且仅使用一道退火步骤。此外,本发明公开的工艺可避免使用难以量产的含硒或含硫气体环境。特别地,可避免使用在低浓度下具有高毒性的硒化氢和硫化氢。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,包括下列步骤:提供一基板;利用溅镀一第一靶材,在该基板上形成一第一薄膜;在该基板上形成一第二薄膜,形成该第二薄膜包括在该第一薄膜上方溅镀一第二靶材,其中该第二靶材包括硫或一硫化物;以及利用施加能量至该基板,从该第一和第二薄膜形成硫属化合物太阳能吸收物,其中该硫属化合物太阳能吸收物包括第I族的至少一个元素和第VI族的至少二个元素。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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