[发明专利]晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201010521525.1 | 申请日: | 2010-10-27 |
公开(公告)号: | CN102456762A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 董清世;万军鹏 | 申请(专利权)人: | 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池和一种非晶硅太阳能电池,该晶体硅太阳能电池包括依次结合的减反射膜层、透光玻璃层、第二封接层、晶体硅电池片、第一封接层和TPT背板,减反射膜层、透光玻璃层、第一封接层和/或第二封接层中含有发光体。该非晶硅太阳能电池包括依次结合的减反射膜层、透光玻璃层、透明导电膜层、非晶硅pin膜层和金属背电极,减反射膜层、透光玻璃层和/或透明导电膜层含有发光体。本发明的太阳能电池能将太阳光进行光谱下转换、上转换和/或光谱转移,将太阳光中的紫外光、近红外光转换成可见光,使得本发明的太阳能电池对太阳光的利用率得以有效提高,转换效率得以有效提升,发电量得以有效的增加。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 非晶硅 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池,其特征在于,包括依次结合的减反射膜层、透光玻璃层、第二封接层、晶体硅电池片、第一封接层和聚氟乙烯复合膜背板,所述减反射膜层、透光玻璃层、第一封接层、第二封接层至少一层中含有发光体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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