[发明专利]具有垂直双极注入器的DRAM存储器单元有效
| 申请号： | 201010521914.4 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102130128A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | C·马聚;R·费朗特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有垂直双极注入器的DRAM存储器单元，包括：具有源极(S)、漏极(D)和位于源极和漏极之间的浮体(FB)的FET晶体管，被控制为将电荷注入FET晶体管的浮体中的注入器，所述注入器包括双极型晶体管，所述双极型晶体管具有发射极、基极和由FET晶体管的浮体形成的集电极，所述单元的特征在于，双极型晶体管的发射极被设置为FET晶体管的源极作为双极型晶体管的基极。本发明还涉及包括多个根据本发明的第一方面的存储器单元的存储器阵列，以及控制这种存储器单元的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 注入 dram 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：具有连接到源极线(SL)的源极(S)、连接到位线(BL)的漏极(D)和位于源极和漏极之间的浮体(FB)的水平FET晶体管，被控制为将电荷注入FET晶体管的浮体中的注入器，所述注入器包括双极型晶体管，所述双极型晶体管具有连接到注入线的发射极(15，25，35)、基极和由FET晶体管的浮体形成的集电极，所述单元的特征在于，双极型晶体管的发射极被设置为发射极/源极组件形成垂直堆叠，FET晶体管的源极作为双极型晶体管的基极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司，未经S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010521914.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管元件及其制造方法以及发光元件和显示器
- 下一篇：芯片封装体及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
