[发明专利]一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺

摘要

本发明公开了一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，该工艺首先对硅片进行化学预处理形成绒面结构，接着对硅片进行高温磷扩散或硼扩散形成p-n结结构，再用酸性化学液去除磷硅玻璃或硼硅玻璃，接着对硅片非腐蚀面的p-n结进行介质膜保护，再用酸性化学液去除非保护面即腐蚀面的自然氧化层或腐蚀面的介质膜材料，然后采用碱性化学液对腐蚀面的p-n结或绒面结构进行化学反应腐蚀，最后对硅片上的介质膜和硅片腐蚀面进行有效的清洗，保留介质膜作为晶体硅太阳电池的功能薄膜，避免了重新制备此功能薄膜的过程，有效降低晶体硅太阳电池的生产成本，实现低成本单面腐蚀p-n结或绒面结构，有效提高晶体硅太阳电池的开路电压和短路电流，最终提高电池光电转换效率。

主权项

一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p‑n结或绒面结构的工艺，其特征在于，首先对硅片进行化学预处理形成绒面结构，接着对硅片进行高温磷扩散或硼扩散形成p‑n结结构，再用酸性化学液去除磷硅玻璃或硼硅玻璃，接着对硅片非腐蚀面的p‑n结进行介质膜保护，再用酸性化学液去除非保护面即腐蚀面的自然氧化层或腐蚀面的介质膜材料，然后采用碱性化学液对腐蚀面的p‑n结或绒面结构进行化学反应腐蚀，最后对硅片上的介质膜和硅片腐蚀面进行有效的清洗，保留介质膜作为晶体硅太阳电池的功能薄膜。