[发明专利]阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法。本发明在阵列基板的制造过程中，只采用了三次掩模工艺，第一次是在形成栅线、栅电极和栅线引线的工艺过程中，第二次是在形成TFT沟道的工艺过程中，第三次是在形成像素电极的工艺工程中。本发明通过三次掩模，四次刻蚀可以完成阵列基板的制备，简化了阵列基板的制备流程，降低了阵列基板的制造成本。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅金属薄膜，在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第一厚度区域、第二厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第一厚度区域的光刻胶图案至少位于栅线区域上方，所述第二厚度区域的光刻胶图案位于栅线引线连接区域上方，且第一厚度小于第二厚度；进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的栅金属薄膜，形成包括栅线、栅电极和栅线引线的图案，并按照所述第一厚度区域光刻胶的第一厚度灰化去除光刻胶；在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第三厚度区域、第四厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第三厚度区域的光刻胶图案至少位于源漏电极区域和数据线引线连接区域上方，所述第四厚度区域的光刻胶图案位于沟道区域上方，且第四厚度小于第三厚度；进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜，并按照所述第四厚度区域光刻胶的第四厚度灰化去除光刻胶；进行刻蚀，刻蚀掉沟道区域的源漏金属薄膜和部分有源层薄膜，形成TFT沟道；并将剩余的光刻胶图案以及栅线引线连接区域上方的栅金属薄膜和光刻胶剥离；在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成像素电极。