[发明专利]芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法无效
| 申请号： | 201010523965.0 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101986175A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 童利民;马哲;张奚宁;郭欣;杨青;马耀光 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，该方法将金属纳米线放置于激光二极管芯片的出光面，激发表面等离子体在金属纳米线中传输。本发明使得光源与等离子体波导直接在芯片上集成，从而省去了传统表面等离子体激发方法中的透镜、棱镜等耦合装置，该结构中金属纳米线的输出为线偏振光，可通过调节纳米线的方向调节光强输出。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 集成 金属 纳米 表面 等离子体 激发 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，其特征在于，该方法为：将金属纳米线的一端放置于激光二极管芯片的出光面，在该端激发表面等离子体并使其在金属纳米线中传输。金属纳米线的另一端作为光信号的输出端。
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