[发明专利]半导体器件及使用该半导体器件的显示装置

摘要

本发明公开了半导体器件及使用该半导体器件的显示装置。所述半导体器件使用了薄膜晶体管。另外，所述半导体器件具有：所述薄膜晶体管的栅极电极；形成得覆盖住所述栅极电极的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的有机半导体层；形成在所述有机半导体层上的结构体；起始于所述栅极绝缘膜的上表面并终止于所述有机半导体层的上表面的源极电极及漏极电极；和形成在所述结构体上的电极材料层。本发明的半导体器件能够高精度地被形成为具有预定通道长度的器件，并能够提高显示装置的性能、增大半导体器件的产率。另外，还能够减少半导体器件的设计余量、使半导体器件小型化，从而增大在显示装置中所使用的像素数量。

主权项

一种半导体器件，其含有薄膜晶体管，所述半导体器件包括：所述薄膜晶体管的栅极电极；栅极绝缘膜，它形成得覆盖着所述栅极电极；有机半导体层，它形成在所述栅极绝缘膜上，作为含有所述薄膜晶体管的源极区域、通道区域和漏极区域的层；结构体，它形成在所述有机半导体层上；源极电极，它起始于所述栅极绝缘膜的某一端上表面，并终止于在所述结构体外侧的位置处的作为所述有机半导体层的某一端上表面的上表面；漏极电极，它起始于所述栅极绝缘膜的另一端上表面，并终止于在所述结构体外侧的位置处的作为所述有机半导体层的另一端上表面的上表面；以及电极材料层，它形成在所述结构体上，并由与所述源极电极及所述漏极电极相同的材料制成。