[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010524956.3 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102456786A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/18 | 分类号： | H01L33/18;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括依次叠置的基板、第一电极、缓冲层、发光层以及第二电极，其中，该第一电极由定义在该基板上的铝掺杂氧化锌薄膜所构成，该缓冲层为氧化锌纳米线阵列，该发光层由依次层迭的N型氮化镓纳米线阵列以及P型氮化镓纳米线阵列所构成，该第二电极包覆在该P型氮化镓纳米线阵列的端头，该发光二极管还包括有填充于该第一电极以及第二电极之间的绝缘体。本发明还涉及该发光二极管的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括依次叠置的基板、第一电极、缓冲层、发光层以及第二电极，其中，该第一电极由位于该基板上的铝掺杂氧化锌薄膜所构成，该缓冲层为氧化锌纳米线阵列，该发光层由依次层迭的N型氮化镓纳米线阵列以及P型氮化镓纳米线阵列所构成，该第二电极包覆在该P型氮化镓纳米线阵列的顶端，该发光二极管还包括一填充于该第一电极以及第二电极之间的绝缘体。
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