[发明专利]对半导体器件结构的焊垫进行俄歇分析的方法

摘要

本发明涉及对半导体器件结构的焊垫进行俄歇分析的方法，具体步骤为：提供前端器件，前端器件包括半导体衬底和焊垫；在焊垫上的分析区域周围形成深至半导体衬底的上表面或者深至半导体衬底内部的电子导通通道；最后对焊垫进行俄歇分析。其中，形成电子导电通道的方法为利用聚焦离子束在焊垫上分析区域之外的位置切割。当对焊垫进行俄歇分析时，在分析区域聚集的负电荷可以通过电子导通通道流入大地，有效地解决了俄歇分析过程中产生的荷电效应，得到精确的俄歇电子能谱，从而可以使俄歇进行分析的结果更加精确。本发明可以广泛应用于对半导体结构的焊垫进行俄歇分析时消除荷电效应的方法中。

主权项

对半导体器件结构的焊垫进行俄歇分析的方法，其特征在于包括：提供前端器件，所述前端器件包括半导体衬底和焊垫；确定所述焊垫上的分析区域的位置；在所述焊垫上除了所述分析区域以外的位置形成深至所述半导体衬底的上表面或者所述半导体衬底内部的电子导通通道；对所述焊垫进行俄歇分析。