[发明专利]一种氮氧化物传感器芯片无效

专利信息
申请号: 201010525727.3 申请日: 2010-10-30
公开(公告)号: CN102043007A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 谢光远;黄海琴;尹亮亮;王哲;倪铭 申请(专利权)人: 无锡隆盛科技有限公司
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 任益
地址: 214028 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氮氧化物传感器芯片,由六层基片第一层至第六层基片叠压而成,六层基片的材质均为氧化锆,第二层基片上包括四个空腔,第一空腔、第二空腔、第三空腔、第四空腔,四个空腔之间依次分别设置有三列扩散障碍层,第三空腔内设置有第一电极,第四空腔内设置有第二电极和第三电极,第三层基片上设有与大气相连的参比气体通道,第三层基片与第四层基片之间设置有参比电极,参比电极上覆盖有多孔氧化铝层,参比气体通道通过小孔与多孔氧化铝层连通,第四层基片与与第五层基片之间设置有加热电极,加热电极的上下各有一层绝缘层,第一层基片上设置有第四电极,第四电极上覆盖有有保护层。结构上可以避免烧结时非活化电极中金的挥发对活化电极的污染,且无需分步烧结,只需将六层基片叠合后一次烧结成型即可。
搜索关键词: 一种 氧化物 传感器 芯片
【主权项】:
一种氮氧化物传感器芯片,由六层基片第一层至第六层基片(1—6)叠压而成,其特征在于:六层基片的材质均为氧化锆,第二层基片(2)上包括四个空腔,第一空腔(7)、第二空腔(9)、第三空腔(13)、第四空腔(16),四个空腔之间依次分别设置有三列扩散障碍层(8、10、14),第三空腔(13)内设置有第一电极(12),第四空腔(16)内设置有第二电极(15)和第三电极(18),第三层基片(3)上设有与大气相连的参比气体通道(22),第三层基片(3)与第四层基片(4)之间设置有参比电极(19),参比电极(19)上覆盖有多孔氧化铝层(20),参比气体通道(22)通过小孔(21)与多孔氧化铝层(20)连通,第四层基片(4)与与第五层基片(5)之间设置有加热电极(23),加热电极(23)的上下各有一层绝缘层(24),第一层基片上设置有第四电极(11),第四电极(11)上覆盖有保护层(25),所述第三电极(18)上覆盖有一层多孔氧化铝质的膜层(17)。
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