[发明专利]控制具有第二控制栅极的DRAM存储器单元的方法无效
| 申请号： | 201010528418.1 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102087873A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | C·梅热;R·费兰特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制具有第二控制栅极的DRAM存储器单元的方法。所述存储器单元包括绝缘体上半导体衬底上的FET晶体管，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层(2，BOX)和基底衬底(1)分隔的半导体材料的薄膜(3)，该晶体管具有通道(4)和两个控制栅极，前控制栅极(8、11)设置在通道(4)的顶部，并通过栅极电介质(7、10)和通道(4)分隔，后控制栅极(9、12、13、17、18)设置在基底衬底中，并通过绝缘层(BOX)和通道(4)分隔，其特征在于，在单元编程操作中，通过对前控制栅极施加第一电压和对后控制栅极施加第二电压而结合使用前控制栅极和后控制栅极，在没有电压施加到后控制栅极的情况下所述第一电压的幅度低于对单元编程所需的电压的幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 具有 第二 栅极 dram 存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
一种控制DRAM存储器单元的方法，所述存储器单元包括绝缘体上半导体衬底上的FET晶体管，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层(2)和基底衬底(1)分隔的半导体材料的薄膜(3)，该晶体管具有通道(4)和两个控制栅极，前控制栅极(8、11)设置在通道(4)的顶部，并通过栅极电介质(7、10)和通道(4)分隔，后控制栅极(9、12、13、17、18)设置在基底衬底中，并通过绝缘层和通道(4)分隔，其特征在于，在单元编程操作中，通过对前控制栅极施加第一电压和对后控制栅极施加第二电压而结合使用前控制栅极和后控制栅极，在没有电压施加到后控制栅极的情况下所述第一电压的幅度低于对单元编程所需的电压的幅度。
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