[发明专利]硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途有效
| 申请号： | 201010528888.8 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102453960A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 姚吉勇;梅大江;尹文龙;傅佩珍;吴以成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 高宇;杨小蓉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途；该硒稼硅银化合物及晶体的化学式Ag4-xGa4-xSixSe8，0.85＜x＜1.15；可采用固相反应或气相传输法制备硒稼硅银化合物；采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降等法生长硒稼硅银非线性光学晶体；所得硒稼硅银非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；可用于制备非线性光学器件；所制备的非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该硒稼硅银非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 硒稼硅银 化合物 非线性 光学 晶体 制法 用途 | ||
【主权项】：
一种硒稼硅银化合物，其化学式Ag4‑xGa4‑xSixSe8，其中0.85＜x＜1.15。
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