[发明专利]基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器及使用方法无效
申请号: | 201010529018.2 | 申请日: | 2010-11-03 |
公开(公告)号: | CN102109686A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 邢岐荣;王昌雷;田震;栗岩锋;柴路;胡明;陈涛 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹光斩波器及使用方法,属于太赫兹斩波技术领域。该斩波器包括:硅基氧化钒薄膜,激光二极管,聚焦透镜,激光二极管的驱动电源,方波信号发生器,参考信号输出端子。该斩波器的斩波过程为:将硅基氧化钒薄膜置于太赫兹波束中,以激光二极管对其照射,照射区的光斑面积由聚焦透镜控制,激光二极管输出的激光方波脉冲由方波信号发生器控制,输出频率在100Hz-3KHz间可调,硅基氧化钒薄膜的透过率在激光方波信号的作用下,发生周期性改变,从而实现周期性的控制太赫兹波的通断,达到对太赫兹波斩波的目的。本发明的优点是:斩波稳定、成本低廉、体积小、便于集成、调制速度快。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化 薄膜 赫兹 波光 斩波器 使用方法 | ||
【主权项】:
一种基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器,其特征在于:该斩波器由设置在太赫兹光路中的硅基氧化钒薄膜(2),照射硅基氧化钒薄膜的激光二极管(4),二极管与硅基氧化钒薄膜之间设置一个聚焦透镜(3),激光二极管的驱动电源(5),提供驱动电源开关信号的方波信号发生器(6)构成,信号发生器(6)还设有参考信号输出端子(7),该端子与锁相放大器相连。
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