[发明专利]集成电路元件、其形成方法及封装组件无效
| 申请号： | 201010529468.1 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102254870A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄见翎;吴逸文;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供用于铜柱凸块技术的L型侧壁保护工艺，L型侧壁保护结构由至少一非金属材料层形成，例如介电材料层、高分子材料层或前述的组合。本发明还提供一种集成电路元件、其形成方法及封装组件，该集成电路元件包括：一凸块结构，设置于一半导体基底上，其中该凸块结构包括一顶部表面及一侧壁表面，且该半导体基底包括一表面区邻接该凸块结构的该侧壁表面；以及一L型保护结构，覆盖该凸块结构的该侧壁表面，且延伸至该半导体基底的该表面区，其中该L型保护结构由一非金属材料层形成。本发明可以应用在微细间距的凸块架构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 形成 方法 封装 组件 | ||
【主权项】：
一种集成电路元件，包括：一凸块结构，设置于一半导体基底上，其中该凸块结构包括一顶部表面及一侧壁表面，且该半导体基底包括一表面区邻接该凸块结构的该侧壁表面；以及一L型保护结构，覆盖该凸块结构的该侧壁表面，且延伸至该半导体基底的该表面区，其中该L型保护结构由一非金属材料层形成。
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