[发明专利]半导体装置及其制作方法无效
| 申请号： | 201010529486.X | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102104004A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 苏建彰;林宪信;郭紫微;陈冠宇;宋学昌;白易芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置及其制作方法，该方法包括提供一基底，形成多个鳍于基底上方，上述鳍借由一隔离结构彼此隔离，形成一栅极结构于每个鳍的部分上方，分别于栅极结构的侧壁形成间隙壁，于每个鳍的暴露部分外延成长硅，其中外延工艺加入一不纯物元素，不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群，及于外延硅掺杂n型掺杂物。本发明通过不纯物元素能偶外延硅的成长速率，可减少硅表面上的掺杂毒化，并使浅沟槽隔离具有良好的选择性，从而使得外延硅中的缺陷因而减少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制作方法，包括：提供一基底；形成多个鳍于该基底上方，该些鳍借由一隔离结构彼此隔离；形成一栅极结构于每个鳍的部分上方；分别于该栅极结构的侧壁形成间隙壁；于每个鳍的暴露的部分外延成长硅，其中该外延工艺加入一不纯物元素，该不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群；及于该外延硅掺杂n型掺杂物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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