[发明专利]一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010529792.3 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054875B | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;贺致远;李佳林;张佰君 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/38;H01L29/41;H01L29/43 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种上下电极结构的功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法，通过Si衬底剥离技术，实现半导体外延层衬底转移，先将外延薄膜转移到导电、导热性能好的金属衬底上，然后剥离Si衬底，这样既改善了器件的散热性能，也降低了器件的导通电阻；通过在N型GaN层上直接蒸镀欧姆接触或者在半导体外延层中刻蚀通孔、在通孔中蒸镀欧姆接触的技术手段实现器件中电流在上下电极之间的传输。本发明改善了功率型GaN基肖特基二极管散热性能，降低了器件的导通电阻，易于获得大电流，适用于Si衬底GaN外延材料，晶圆尺寸大、成本低，有利于大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 gan 基肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率型GaN基肖特基二极管，包括金属衬底(11)以及通过金属衬底(11)支撑连接的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由外向金属衬底(11)依次包含N型GaN层(3)、低掺杂的GaN层(4)和肖特基金属层(10)；其特征在于，所述GaN基肖特基二极管具有上下电极结构，金属衬底(11)与肖特基金属层(10)一起作为肖特基二极管的阳极；N型GaN层(3)下设有金属电极作为阴极；所述低掺杂的GaN层(4)和N型GaN层(3)中设有一柱形孔(5)和小柱形孔(6)，所述柱形孔(5)和小柱形孔(6)相通的，所述柱形孔(5)和小柱形孔(6)的填充材料由N型GaN层(3)向低掺杂的GaN层(4)方向依次包含导电物质(7)、导电金属层(8)和绝缘体(9)，所述导电物质(7)和导电金属层(8)构成一T形导电体，导电物质(7)与金属电极电接触一起作为肖特基二极管的阴极，绝缘体(9)连接肖特基金属层(10)。
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