[发明专利]交错柱超级结有效
| 申请号： | 201010530425.5 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102082168A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 管灵鹏;马督儿·博德;安荷·叭剌;哈姆扎·依玛兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚940*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种交错柱超级结半导体器件，含有一个带有一个或多个器件单元的单元有源区。单元有源区中的一个或多个器件单元包括一个用作漏极的半导体衬底以及一个形成在衬底上的半导体层。一个第一掺杂立柱形成在半导体层中，达到第一深度，一个第二掺杂立柱形成在半导体层中，达到第二深度。第一深度大于第二深度。第一立柱以及第二立柱和同一种第二导电类型的掺杂物掺杂在一起，并且沿着半导体层的厚度部分延伸，第一立柱和第二立柱通过一部分半导体层，相互隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 交错 超级 | ||
【主权项】：
一种交错立柱超级结半导体器件，其特征在于，包含：一个具有一个或多个器件单元的有源区，其中在该有源区中的一部分器件单元包括：一个第一导电类型的第一半导体层；一个位于第一半导体层上方的第一导电类型的第二半导体层；以及一个形成在第二半导体层中到达第一深度的第一掺杂立柱，以及一个形成在第二半导体层中到达第二深度的第二掺杂立柱，其中第一深度大于第二深度；所述的第一掺杂立柱和第二掺杂立柱用同一种不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂物掺杂，并且其中第一掺杂立柱和第二掺杂立柱沿着第二半导体层的厚度部分延伸，该第一掺杂立柱和第二立柱相互交替，并紧邻部分的第二半导体层。
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