[发明专利]一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺无效
| 申请号： | 201010530471.5 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102452799A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 俞志稳 | 申请（专利权）人： | 俞志稳 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 李海燕 |
| 地址： | 211409 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺。玻璃基片上由里到外依次复合有三层膜，中间的膜为纯银薄膜，纯银薄膜两侧的膜为金属氧化物膜。本发明产品设置了三层膜结构，中间的膜为纯银薄膜，两侧为金属氧化物膜，金属氧化物膜对纯银薄膜提供保护，增加了玻璃的耐磨性，同时作为膜层中间的纯银薄膜增加了色彩的纯度和光透射度，节能环保。本发明工艺实施难度低、方法简便，形成的三层膜结构均匀一致，对设备的要求较低，容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三层 膜结构 low 玻璃 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种三层膜结构的Low‑E玻璃及其生产工艺，包括有Low‑E玻璃基片，其特征在于：玻璃基片上由里到外依次复合有三层膜，中间的膜为纯银薄膜，纯银薄膜两侧的膜为金属氧化物膜，具体加工步骤如下：1)、将Low‑E玻璃基片垂直放置在架子上，送入10‑1帕数量级的真空环境内；2)、向真空环境内通入适量的惰性气体Ar或反应气体O2、N2，并保持真空度稳定；3)、将靶材Ag、Si分别嵌入两个阴极，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场构成磁控靶；4)、以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，惰性气体或反应气体发生电离；5)、将嵌入Ag、Si的两个阴极靶，先后靠近玻璃表面来回移动，形成三成均匀的薄膜。
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