[发明专利]接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 201010531245.9 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102468217A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种接触孔的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有MOS晶体管；依次形成第一阻挡层和介质层，覆盖所述MOS晶体管和半导体基底，所述第一阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比大于等于10；对所述介质层进行刻蚀，在所述MOS晶体管的栅极、源极和漏极上方分别形成第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、第二开口和第三开口的底部暴露出所述第一阻挡层；去除所述第一开口、第二开口和第三开口底部的第一阻挡层。本发明可以避免接触孔的形成过程中对栅极造成损伤，利于改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有MOS晶体管；依次形成第一阻挡层和介质层，覆盖所述MOS晶体管和半导体基底，所述第一阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比大于等于10；对所述介质层进行刻蚀，在所述MOS晶体管的栅极、源极和漏极上方分别形成第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、第二开口和第三开口的底部暴露出所述第一阻挡层；去除所述第一开口、第二开口和第三开口底部的第一阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
