[发明专利]具有多芯片结构的半导体集成电路有效
| 申请号： | 201010531402.6 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102263089A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈伸显;李锺天 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/52;H01L23/522;H01L21/98;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多芯片结构的半导体集成电路，包括层叠的多个半导体芯片。半导体芯片中的至少一个包括：第一金属层和第二金属层，分开地形成在半导体芯片内部；第一内部电路，串联耦接在半导体芯片内部的第一金属层与第二金属层之间；第一金属路径，垂直地形成在第二金属层之上并到达半导体芯片的第一面；以及第一贯穿硅通孔，被形成为从半导体芯片的第二面穿透半导体芯片到达第一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 芯片 结构 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种具有多芯片结构的半导体集成电路，包括层叠的多个半导体芯片，其中，所述半导体芯片中的至少一个包括：第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层分开地形成在所述半导体芯片的内部；第一内部电路，所述第一内部电路串联耦接在所述半导体芯片内部的所述第一金属层与所述第二金属层之间；第一金属路径，所述第一金属路径垂直地形成在所述第二金属层之上并到达所述半导体芯片的第一面；以及第一贯穿硅通孔，所述第一贯穿硅通孔被形成为从所述半导体芯片的第二面穿透所述半导体芯片到达所述第一金属层。
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