[发明专利]采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法有效
| 申请号： | 201010531720.2 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101985396A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘述江 | 申请（专利权）人： | 刘述江 |
| 主分类号： | C04B35/582 | 分类号： | C04B35/582;C04B35/622 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，涉及一种陶瓷基片。提供一种采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法。氮化铝陶瓷基片的原料组成及其按质量百分比的含量为：氮化铝93％～98％，三氧化二钇2％～7％。在纳米或亚微米AIN粉体中，添加纳米或亚微米Y2O3，经干法球磨混合均匀，得混合粉体；使用模压机将混合粉体成型，得混合粉体坯；将混合粉体坯烧结；将烧结后的混合粉体坯切片，再经打磨抛光处理后，得氮化铝陶瓷基片。工艺生产步骤大大简化，减少排胶、等静压工序，消除粘合剂等残留物对品质的影响，品质稳定，致密性好，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 切片 法制 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于所述氮化铝陶瓷基片的原料组成及其按质量百分比的含量为：氮化铝93％～98％，三氧化二钇2％～7％；所述方法包括以下步骤：1)在纳米或亚微米AIN粉体中，添加纳米或亚微米Y2O3，经干法球磨混合均匀，得混合粉体；2)使用模压机将混合粉体成型，得混合粉体坯；3)将混合粉体坯烧结；4)将烧结后的混合粉体坯切片，再经打磨抛光处理后，得氮化铝陶瓷基片。
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