[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010532050.6 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102468164A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;王洪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少一个位错；位于所述源区和漏区上方的含硅外延半导体层；以及位于所述外延半导体层上方的金属硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制造方法，该方法包括如下步骤：在形成了栅极的半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述栅极以及所述半导体衬底；图形化该掩膜层，使得至少源区和漏区之一的至少一部分暴露；对源区和/或漏区的暴露部分进行第一离子注入步骤；对所述半导体衬底进行退火以在源区和/或漏区的暴露部分形成位错；在源区和漏区上形成含有硅的半导体层；在所述半导体层上形成金属层并进行退火以形成金属硅化物，其中所述金属硅化物的底面高于位于所述源区和漏区之间的导电沟道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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