[发明专利]双向硅控整流器

摘要

本发明公开了一种双向硅控整流器，包括第一导电型态的基板，位于基板上且呈第二导电型态的埋入层、位于埋入层上且呈第一导电型态的第一井与第二井、位于第一井与第二井之间且呈第二导电型态的第三井，与位于第一半导体区与第三半导体区之间且呈第二导电型态的掺杂区域。掺杂区域包括部分的第三井。此种双向硅控整流器藉由改变半导体载子浓度或使用标准制程中不同载子浓度的半导体，调节其接面的崩溃电压，可解决集成电路的I/O电压远高于工作电压时，不会有误动作的问题发生，并达成面积小与高静电防护之效，藉此解决现有硅控整流器触发电压受限的问题。

主权项

一种双向硅控整流器，其特征在于，包括：一基板，为一第一导电型态；一埋入层，位于该基板上，且为一第二导电型态；一第一井与一第二井，位于该埋入层上，且皆为该第一导电型态；一第三井，位于该埋入层上，且于该第一井与该第二井之间，该第三井为该第二导电型态；一第一半导体区与一第二半导体区，位于该第一井内；一第三半导体区与一第四半导体区，位于该第二井内；以及一掺杂区域，位于该第一半导体区与该第三半导体区之间，该掺杂区域包括部分的该第三井，且该掺杂区域为该第二导电型态。