[发明专利]一种半导体器件的栅极形成方法有效
| 申请号： | 201010532653.6 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102468147B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 何永根;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的栅极形成方法，包含提供衬底，所述衬底表面包含电介质层和多晶硅层；在所述衬底表面形成栅极；形成覆盖所述衬底和栅极的介质层，并进行平坦化处理，直至暴露所述栅极表面；对所述栅极进行掺杂；形成覆盖栅极侧壁的氧化层。利用本发明所提供的半导体器件的栅极形成方法，先刻蚀多晶硅，形成栅极，然后再进行掺杂，有效避免了由于掺杂离子分布不均匀而导致刻蚀和酸洗选择比不同，从而避免了瓶颈现象，此外，本发明所提供的方法，可以避免掺杂过程对栅极表面的氧化层的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的栅极形成方法，其特征在于，包含：提供衬底，所述衬底表面包含电介质层和多晶硅层，所述多晶硅为未掺杂N型元素、P型元素的多晶硅；在所述衬底表面形成栅极；形成覆盖所述衬底和栅极的介质层，并进行平坦化处理，直至暴露所述栅极，所述介质层的材料是无定形碳；在所述介质层以及栅极表面形成光刻胶层掩膜，采用离子注入的方法仅对所述栅极进行掺杂；形成覆盖栅极侧壁的氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010532653.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
