[发明专利]双面生长型MOCVD反应器

摘要

本发明公开了一种双面生长型金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器，包括：反应室；位于反应室内壁上表面的第一石墨盘，第一石墨盘上设有第一承载槽，第一承载槽的周围设有卡持部件；位于反应室内壁下表面的第二石墨盘，第二石墨盘上设有第二承载槽；位于反应室顶部中心位置的进气口，进气口的横截面为三层同心圆结构，由内到外依次为圆形的第一氢化物气源入口、环形的金属有机物气源入口以及环形的第二氢化物气源入口；位于反应室侧壁的出气口；以及分别位于第一石墨盘及第二石墨盘背面的两套加热系统。该双面生长型MOCVD反应器，一方面可提高反应气体的利用效率，另一方面可大大提高薄膜产量。

主权项

一种双面生长型MOCVD反应器，其特征在于，包括：反应室；位于所述反应室内壁上表面的第一石墨盘，所述第一石墨盘上设有第一承载槽，所述第一承载槽的周围设有卡持部件；位于所述反应室内壁下表面的第二石墨盘，所述第二石墨盘上设有第二承载槽；位于所述反应室顶部中心位置的进气口，所述进气口的横截面为三层同心圆结构，由内到外依次为圆形的第一氢化物气源入口、环形的金属有机物气源入口以及环形的第二氢化物气源入口；位于所述反应室侧壁的出气口；以及分别位于第一石墨盘及第二石墨盘背面的两套加热系统。