[发明专利]一种黑硅钝化方法无效
| 申请号： | 201010532895.5 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101993081A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;李勇滔;陈瑶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光电子器件制造技术领域，尤其是涉及一种黑硅钝化方法。所述方法包括：将黑硅放置于钝化装置的腔室内；调整钝化装置工艺参数达到预设定的工作范围，向钝化装置通入混合气体，混合气体包括反应气体；利用等离子体增强化学气相沉积，在黑硅表面沉积钝化薄膜。通过本方法降低了黑硅表面态密度，从而提高了利用黑硅制备的太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种黑硅钝化方法，其特征在于，所述方法包括：将利用等离子体浸没离子注入技术制备的黑硅放置于钝化装置的腔室内；调整所述钝化装置工艺参数达到预设定的工作范围，向所述钝化装置通入混合气体，所述混合气体包括反应气体；利用等离子体增强化学气相沉积，在所述黑硅表面沉积钝化薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司，未经中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010532895.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有升降平台的大吨位滩涂运输车
- 下一篇：一种前车架可伸缩两用小四轮拖拉机
