[发明专利]声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法

摘要

一种声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，包含下述步骤：提供在一部分基底内部或上表面带有牺牲层的基底；在基底的部分牺牲层上形成第一堆叠区的第一谐振器，以及在基底上形成第二堆叠区的第一谐振器，第一堆叠区的第一谐振器和第二堆叠区的第一谐振器相远离；在第二堆叠区下方形成空气腔；在第二堆叠区进行第一次测量；根据第一次测量调整第一堆叠区的第一谐振器的顶部电极；分别在第一、第二堆叠区的第一谐振器上形成退耦层；分别在第一、第二堆叠区的退耦层上形成第二谐振器；在第一堆叠区或第二堆叠区进行第二次测量；根据第二次测量结果调整第一堆叠区第二谐振器顶部电极，以实现理想的器件性能。本发明可最大限度减小由第一谐振器释放过程引起的工艺交叉或污染。

主权项

一种声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，包含有第一谐振器、第二谐振器以及在两谐振器之间形成的退耦层的声耦合器件，且第一、第二谐振器都具有上电极、下电极，以及两电极间的压电层而构成的三明治结构，其特征在于，该声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法包含下述步骤：(a)提供在一部分基底内部或上表面带有牺牲层的基底；(b)在基底的部分牺牲层上形成第一堆叠区的第一谐振器，以及在基底上形成第二堆叠区的第一谐振器，这样第一堆叠区的第一谐振器和第二堆叠区的第一谐振器相远离；(c)在第二堆叠区下方形成空气腔；(d)在第二堆叠区进行第一次测量；(e)根据第一次测量调整第一堆叠区的第一谐振器的顶部电极；(f)分别在第一、第二堆叠区的第一谐振器上形成退耦层；(g)分别在第一、第二堆叠区的退耦层上形成第二谐振器；(h)在第一堆叠区或第二堆叠区进行第二次测量；(i)根据第二次测量结果调整第一堆叠区第二谐振器顶部电极，以实现理想的器件性能。