[发明专利]形成有类金刚石碳薄膜的材料及用于制造该材料的方法有效
| 申请号： | 201010533692.8 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102041473A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 光田好孝;野濑健二;森久祐弥 | 申请（专利权）人： | 光田好孝;SMC株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 梅高强;杜娟 |
| 地址： | 日本国东京都目黑区驹场4*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 形成有类金刚石碳薄膜的材料及用于制造该材料的方法，一种形成有DLC薄膜的材料(10)，其中中间层(14)被设置在基材(12)与DLC薄膜(16)之间。该中间层(14)是包含类金刚石碳和来自基材(12)的组分金属原子的复合层。例如，该中间层(14)可通过如下步骤形成：在等离子体层形成工艺中，将负偏压施加到基材(12)上，同时随时间降低负偏压的绝对值。碳靶或烃类气体可用作碳源。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金刚石 薄膜 材料 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成有类金刚石碳薄膜的材料(10)，其包括基材(12)和形成于基材(12)表面上的类金刚石碳薄膜(16)，在基材(12)与类金刚石碳薄膜(16)之间具有中间层(14)，其中，所述中间层(14)是包含类金刚石碳和来自所述基材(12)的组分金属原子的复合层。
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