[发明专利]包括第二导电类型半导体层的发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010534273.6 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102064259A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孙孝根 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了包括第二导电类型半导体层的发光器件和制造发光器件的方法。发光器件包括：第一导电类型半导体层、有源层、粗糙图案、以及第二导电类型半导体层。有源层被布置在第一导电类型半导体层上。粗糙图案被布置在有源层上。第二导电类型半导体层被布置在粗糙图案和有源层上，并且包括金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 第二 导电 类型 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；所述第一导电类型半导体层上的有源层；所述有源层上的粗糙图案；以及所述粗糙图案和所述有源层上的第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层包括金属氧化物。
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