[发明专利]一种端羟基超支化聚胺-酯聚合物及其在微流控芯片中的应用无效
| 申请号： | 201010534403.6 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102060988A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 寿崇琦;杨文;林栋;徐磊;刘冰;蒋大庆 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C08G63/685 | 分类号： | C08G63/685;G01N35/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种端羟基超支化聚合物及其在微流控芯片中的应用。端羟基超支化聚胺-酯聚合物，由以下步骤制备而成：等摩尔的二乙醇胺和丙烯酸甲酯，反应得到N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯；将三羟甲基丙烷与N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯反应，当两者摩尔比为1∶9、1∶21或1∶45时，分别得到G2代、G3代或G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物。用于制备亲水性微流控芯片：在氧气氛中将聚二甲基硅氧烷微流控芯片基片氧化；将硅烷偶联剂接到基片内部，将聚合物接到硅烷偶联剂上。严格控制反应条件及反应物的摩尔比制得相对规整的聚合物。用聚合物改性PDMS，能永久保持亲水性，未使用昂贵的仪器，方便快速。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 羟基 超支 化聚胺 聚合物 及其 微流控 芯片 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种端羟基超支化聚胺-酯聚合物，其特征是为G2代端羟基超支化聚胺-酯聚合物、G3代端羟基超支化聚胺-酯聚合物或G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物，G2代端羟基超支化聚胺-酯聚合物的结构式如下所示![]()
G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物的结构式如下![]()
由以下步骤制备而成：(1)取等摩尔的二乙醇胺和丙烯酸甲酯，加入甲醇，混合均匀后加入反应器中，升温至35℃保持4h，得到N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯；(2)将N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯、对甲苯磺酸和三羟甲基丙烷加入反应器中，通氮气，搅拌溶解，升温至85℃，搅拌24h，当三羟甲基丙烷与N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩尔比为1∶9时，得到G2代端羟基超支化聚胺-酯聚合物；当三羟甲基丙烷与N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩尔比为1∶21时，得到G3代端羟基超支化聚胺-酯聚合物；当三羟甲基丙烷与N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩尔比为1∶45时，得到G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物。
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