[发明专利]长寿命晶体硅太阳电池的制造方法无效
| 申请号： | 201010535594.8 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102468362A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张松 | 申请（专利权）人： | 张松 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226124 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长寿命晶体硅太阳电池的制造方法，本发明可有效减少硼氧复合对的产生，电池使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 寿命 晶体 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种长寿命晶体硅太阳电池的制造方法，包括扩磷处理步骤，其特征是：在扩磷处理步骤的通磷源前，先将硅片在氮气氛中热处理20～40分钟，再在氧氮气氛中热处理20～40分钟，热处理温度为500～1200℃，氧氮气氛中氮气与氧气的重量比为氮气∶氧气＝100∶2～3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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