[发明专利]布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置无效
| 申请号： | 201010535877.2 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102097472A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L23/532;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 形成 方法 晶体管 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其中，具有：栅电极；分别由半导体构成的漏极半导体层以及源极半导体层，以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或者导通，在所述漏极半导体层表面和所述源极半导体层的表面的任何一个或两个上，形成以铜为主要成分且含氧的阻挡膜，在所述阻挡膜的表面上，分别形成以铜为主要成分且电阻比阻挡膜低的低电阻膜。
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