[发明专利]GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法无效
| 申请号： | 201010535878.7 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102468372A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘晓燕;沈燕;徐化勇;李树强;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法，所述GaN基垂直结构LED包括在SiC衬底上依次生长有N型GaN层、量子阱层、P型GaN层和欧姆接触层，用机械研磨法将SiC衬底减薄，再用ICP法刻蚀SiC衬底的剩余部分，ICP刻蚀停止在GaN面上，刻蚀气体是Cl2、BCl3、SF6、O2、Ar、CHF3、CF4之一或组合。本发明有效地解决了SiC难剥离的问题，实现了SiC和N型GaN的完整剥离，同时对GaN基外延层无损伤，可用于制备大功率GaN基垂直结构LED管芯。 | ||
| 搜索关键词： | gan 垂直 结构 led sic 衬底 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC衬底的GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法，其特征在于，采用机械研磨将SiC衬底减薄到10微米‑100微米；再用ICP法刻蚀SiC衬底的剩余部分，并且使ICP刻蚀停止在GaN面上，刻蚀气体是Cl2、BCl3、SF6、O2、Ar、CHF3、CF4之一或组合，使ICP刻蚀SiC衬底完全且停止在GaN基的层面上。
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