[发明专利]用于半导体制备中的表面平坦化的方法有效
| 申请号： | 201010536603.5 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102468129A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/31;H01L21/314;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体制备中的表面平坦化的方法，为在衬底上淀积需要图形化的材料之后，包括如下步骤：将抗反射材料淀积在需要图形化的材料上；采用光刻工艺定义出图形，并刻蚀抗反射材料和需要图形化的材料，形成图形；接着旋涂负性光刻胶，至覆盖台阶；进行直接曝光并显影，去除所述抗反射材料上的负性光刻胶；而后采用有机填充材料进行填充，形成平坦化表面。本发明的方法，特别适用于较高区域面积较小的衬底的平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制备 中的 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体制备中的表面平坦化的方法，其特征在于：在衬底上淀积需要图形化的材料之后，包括如下步骤：1)将抗反射材料淀积在需要图形化的材料上；2)采用光刻工艺定义出图形，并刻蚀抗反射材料和需要图形化的材料，形成图形；3)接着旋涂负性光刻胶，至覆盖台阶；4)进行直接曝光并显影，去除所述抗反射材料上的负性光刻胶；5)而后采用有机填充材料进行填充，形成平坦化表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
