[发明专利]一种清洁晶片装置有效
| 申请号： | 201010536700.4 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468117A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王锐廷;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路器件清洁工艺技术领域，特别涉及一种清洁晶片装置。该清洁装置包括压电晶体振子、用于安装所述压电晶体振子的腔室以及与压电晶体振子固定连接的换能器，换能器表面具有若干个凸起的柱体，柱体间具有若干个微孔，微孔贯通至换能器的底部。通过本发明提供的具有贯通微孔的换能器，利用兆声波物理传输原理产生与晶片特征尺寸侧壁平行的作用力，对特征尺寸不会产生弯矩的效应，最大程度的减小和消除对晶片特征尺寸结构的破坏，从而提高了对残留物的化学清除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 晶片 装置 | ||
【主权项】：
一种清洁晶片装置，其特征在于，包括：压电晶体振子(1)、用于安装所述压电晶体振子(1)的腔室(2)以及与所述压电晶体振子(1)固定连接的换能器(5)，所述换能器(5)表面具有若干个凸起的柱体(51)，所述柱体(51)间具有若干个微孔(52)，所述微孔(52)贯通至换能器(5)的底部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司，未经北京七星华创电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010536700.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
