[发明专利]多层硬磁体以及包括多层硬磁体的数据存储装置读写磁头有效
申请号: | 201010537767.X | 申请日: | 2010-10-27 |
公开(公告)号: | CN102163432A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | H·袁;邱教明;Y·陈 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39;H01F7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种硬磁体可包括:包含第一成分的籽晶层,该第一成分包括Pt族金属、Fe、Mn、Ir以及Co中的至少一种;包含第一成分的覆层;以及籽晶层和覆层之间的多层叠层。在一些实施例中,多层叠层可包括包含第一成分和第二成分的第一层,第一成分和第二成分包括Pt族金属、Fe、Mn、Ir以及Co的至少一种,其中第二成分不同于第一成分。多层叠层还可包括形成于第一层之上的且包含第二成分的第二层,以及形成于第二层上的且包含第一成分和第二成分的第三层。 | ||
搜索关键词: | 多层 磁体 以及 包括 数据 存储 装置 读写 磁头 | ||
【主权项】:
一种硬磁体,包括:籽晶层,其包含包括Pt族金属、Fe、Mn、Ir以及Co的至少一种的第一成分;覆层,其包含所述第一成分;以及多层叠层,其在所述籽晶层和所述覆层之间,其中所述多层叠层包括:第一层,其包含包括Pt族金属、Fe、Mn、Ir以及Co的至少一种的第一成分和第二成分,其中所述第二成分不同于所述第一成分;形成于所述第一层之上且包含所述第二成分的第二层;以及形成于所述第二层之上且包含所述第一成分和所述第二成分的第三层。
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