[发明专利]电镀工艺中的活化处理无效
| 申请号： | 201010537792.8 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102254842A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;郑明达;何明哲;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/00;C25D7/12;C25D5/54 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成装置的方法，包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件，以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理，其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后，进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第一金属元件的表面接触。本发明通过实施例显示在各层间的界面显著的改善，且观察到空隙显著的减少。再者，界面变得更加平滑。因此，相较于在电镀工艺间通过快速冲洗(QDR)而形成的金属凸块的传统方法中，本发明所得金属凸块的电子迁移(electro-migration，EM)性能提升，因此提升其可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 工艺 中的 活化 处理 | ||
【主权项】：
一种形成装置的方法，包括：进行一第一电镀工艺以形成一第一金属元件；在一第一活化处理溶液中，对该第一金属元件的一表面进行一第一活化处理，该第一活化处理溶液包括在去离子水中的一第一处理剂；以及在进行该第一活化处理步骤后，进行一第二电镀工艺，以形成一第二金属元件，且与该第一金属元件的该表面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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