[发明专利]锗硅异质结双极晶体管多指结构

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管多指结构，由多个锗硅异质结双极晶体管单体组成，所述多指结构为C/BEBC/BEBC/BEBC/…/C。其中CBEBC表示一个锗硅异质结双极晶体管单体，每一个发射极E都分配一个集电极C，且各相邻的集电极C都在发射极的外部相连组成一环绕所述发射极E的集电极环绕结构。各锗硅异质结双极晶体管的集电区形成于有源区中、底部周侧和一赝埋层相连，赝埋层环绕有源区形成一环绕结构，赝埋层的内侧延伸进入有源区中和集电区相连、且赝埋层内侧本身不相连。本发明能减少结电容、使集电极电流更均匀、降低集电极的电流密度输出电阻、改善频率特性。

主权项

一种锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述多指结构由多个锗硅异质结双极晶体管单体组成，在俯视面上，各所述锗硅异质结双极晶体管的发射极、基极、集电极呈周期性排列，排列方式为C/BEBC/BEBC/BEBC/…/C，其中C标示集电极、B表示基极、E表示发射极、CBEBC表示一个锗硅异质结双极晶体管单体，C为相邻的两个锗硅异质结双极晶体管单体共用；在各所述锗硅异质结双极晶体管的基极和发射极的外周都形成一集电极环绕结构，各所述集电极环绕结构是由两相邻的集电极在所述基极和所述发射极的外周相连接形成；所述锗硅异质结双极晶体管单体的有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的N型杂质离子注入层构成；一赝埋层，形成于所述有源区周侧的浅槽场氧底部，所述赝埋层通过在有源区周侧的浅槽底部注入N型杂质离子形成，所述赝埋层围绕于所述有源区的周侧且首尾连接呈一环形结构，所述赝埋层的内侧延伸进入所述有源区中并和所述集电区形成连接，所述赝埋层的内侧本身不相连接；通过在所述赝埋层上的所述浅槽场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上的P型锗硅外延层构成，通过两侧与所述基区相连一多晶硅上制作金属接触引出基极；一发射区，由形成于所述基区上的N型多晶硅构成，直接在所述发射区上做金属接触引出发射极。