[发明专利]一种高真空陶瓷LCC封装方法有效
| 申请号： | 201010538418.X | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102040186A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨军;郑辛;王登顺;丁凯;安泰;余凯;章敏明 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高尚梅 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于MEMS器件封装技术领域，具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求：封装腔体内的真空度小于1Pa，保存期限大于等于15年，实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法，提高了封装质量，降低了封装体的整体漏率，即外漏问题；通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片，减少了封装体内部材料的放气量；通过吸气剂激活，可有效吸附封装体内释放的少量气体，保证了封装体内的较好真空度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 陶瓷 lcc 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于步骤依次如下：(1)对待封装零件进行等离子清洗；(2)共晶贴片，把微结构芯片(5)贴装至陶瓷LCC(3)上；(3)引线互连，将微结构芯片(5)与陶瓷LCC(3)电气连接；(4)将吸气剂(4)激活；(5)共晶封接，把密封盖板(1)与陶瓷LCC(3)封接在一起。
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