[发明专利]一种抗还原陶瓷介质材料及其制备方法有效
申请号: | 201010538862.1 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102030526A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 李太坤;林康;张军志;邹海雄 | 申请(专利权)人: | 厦门松元电子有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人: | 陈建华 |
地址: | 361022 福建省厦门市集*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明所述一种抗还原陶瓷介质材料及其制备方法,采用固相反应法合成的Ba1-xMgxTi1-ySiyO3(0.03≤x≤0.15,0.02≤y≤0.10)为主晶相材料,主晶相成分在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为93~98mol%;加入改性添加剂,改性添加剂选自CaO、SrO、Y2O3、ZrO2、Eu2O3、MnO2、SiO2、Al2O3、ZnO中的三种或三种以上;改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为2~7mol%;经湿法球磨、干燥,从而获得一种能够以镍或镍合金作为内电极,适合在还原气氛中烧结的具有X7R温度特性的陶瓷介质材料。该材料不含重金属元素,符合电子行业的环保要求,具有均匀性好、工艺性能稳定的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 还原 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种抗还原陶瓷介质材料,其特征在于:由主晶相成分及改性添加剂组成;以固相法合成的Ba1‑xMgxTi1‑ySiyO3,其中0.03≤x≤0.15,0.02≤y≤0.10作为主晶相成分,主晶相成分在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为93~98 mol%;改性添加剂选自CaO、SrO、Y2O3、ZrO2、Eu2O3、MnO2、SiO2、Al2O3、ZnO中的三种或三种以上;改性添加剂中的各种氧化物在所述介质材料中所占的摩尔份数为:CaO占0.2~3 mol%、SrO占0~2 mol%,Y2O3占0~2 mol%,,ZrO2占0~1 mol%,Eu2O3占0~1mol%,MnO2占0.1~0.8 mol%,SiO2占0~3 mol%,Al2O3占0~2 mol%,ZnO占0~3 mol%;改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为2~7 mol%。
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