[发明专利]用于制造电子部件的接触区域的方法无效
| 申请号： | 201010539051.3 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102074499A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | A·梅茨;S·巴古斯;S·道韦;T·德罗斯特;P·罗特;A·特珀 | 申请（专利权）人： | 肖特太阳能股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/268;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;李家麟 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于构造电器件的衬底的至少一个局部接触区域以将该接触区域与连接器接触的方法，其中衬底在接触侧配备有由金属构成的或包含金属的经烧结的多孔层。为了提供可以机械方式保持的、可以电学方式完美连接的接触区域，提出在要构造的接触区域中使多孔层致密化和/或去除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电子 部件 接触 区域 方法 | ||
【主权项】：
一种用于构造电器件的衬底的至少一个局部接触区域以使该接触区域与连接器接触的方法，其中衬底在接触侧配备有由铝构成的或包含铝的经烧结的多孔层，其特征在于，在要构造的接触区域中通过集中的电磁辐射对经烧结的多孔层进行致密化和/或去除。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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