[发明专利]光刻曝光机及光刻曝光方法有效
申请号: | 201010540433.8 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102466978A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 张辰明;刘志成;杨要华;胡骏 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种光刻曝光机,包括依次设置的光源、掩膜板、第一掩膜挡板以及透镜,所述第一掩膜挡板上设有曝光孔,所述掩膜板与透镜之间还设有第二掩膜挡板,所述第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板上位置完全对应且相同的曝光孔,且第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致。此外还涉及一种光刻曝光方法。由于第二掩膜挡板与第一掩膜挡板对应有相同的曝光孔,且相对位置始终保持一致,因此第一掩膜挡板的衍射后向曝光孔限制范围外的漏光被第二掩膜挡板遮住,不会继续向透镜传输,因而可以消除因漏光产生的图像边缘重影、模糊等问题。 | ||
搜索关键词: | 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】:
一种光刻曝光机,包括依次设置的光源、第一掩膜挡板、掩膜板以及透镜,所述第一掩膜挡板上设有曝光孔,其特征在于,还包括设于所述掩膜板与透镜之间用于遮挡衍射光的第二掩膜挡板。
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