[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010540893.0 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102074566A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李允基;李德炯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；在非像素区域中的至少一个第一阱；在衬底的第一面上的互连结构；以及基础阱，在非像素区域中且在第一阱与衬底的第二面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；在所述非像素区域中的至少一个第一阱；在所述衬底的第一面上的互连结构；以及基础阱，在所述非像素区域中且在所述至少一个第一阱与所述衬底的第二面之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
