[发明专利]具有埋置绝缘层下第二控制栅极的SeOI闪存存储单元有效
| 申请号： | 201010540988.2 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102088028A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | C·马聚尔;R·费朗 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H01L27/115;G11C16/06;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有埋置绝缘层下第二控制栅极的SeOI闪存存储单元。第一方案涉及一种闪存存储器单元，包括具有浮动栅极的FET晶体管，所述浮动栅极在绝缘体上半导体衬底上，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层与基层衬底隔开的半导体材料的薄膜，所述晶体管在所述薄膜中具有沟道，其特征在于所述存储器单元包括两个控制栅极，前控制栅极布置在浮动栅极上方并通过栅极间介电层与浮动栅极隔开，背控制栅极布置在基层衬底内直接在绝缘层下面，从而仅通过绝缘层与沟道隔开，该两个控制栅极设计为组合使用来执行单元编程操作。本发明还扩展到一种包括多个根据本发明的第一方案的存储器单元的存储器阵列，及一种构造这种存储器单元的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 第二 控制 栅极 seoi 闪存 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种闪存存储器单元(1、10)，包括具有浮动栅极(10、20)的FET晶体管，所述浮动栅极在绝缘体上半导体衬底上，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘(BOX)层与基层衬底(5)隔开的半导体材料的薄膜，所述晶体管在所述薄膜中具有沟道(4)，其特征在于，所述存储器单元包括两个控制栅极，前控制栅极(12、22)布置在浮动栅极(10、20)上方并且通过栅极间介电层(13、23)与浮动栅极(10、20)隔开，背控制栅极(6、34‑37)布置在基层衬底(5)内直接在绝缘(BOX)层下面，从而仅通过绝缘(BOX)层与沟道(4)隔开，该两个控制栅极(10、20；6、34‑37)设计为组合使用而执行单元编程操作。
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