[发明专利]晶片的加工方法无效
申请号: | 201010541104.5 | 申请日: | 2010-11-08 |
公开(公告)号: | CN102103986A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 田渕智隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,其能减少发生于环状加强部的缺损且能高效地将蚀刻液或抗蚀液等处理液排出至晶片外。晶片的加工方法包括:带锥度外周加强部形成工序,将具有外周锥度面的切削刀具以使锥度面朝向外周剩余区域侧的方式定位在晶片的与器件区域的外周缘对应的背面侧的对应位置,一边使卡盘工作台旋转一边使切削刀具切入晶片以形成环状槽,并在晶片的整个背面侧外周部形成环状外周加强部,该环状外周加强部的环状内周面形成为随着从晶片的背面侧至表面侧而朝半径方向内侧倾斜的锥度面;以及晶片磨削工序,将晶片的与器件区域对应的背面磨削到至少与环状槽的底部相同的深度,在被环状外周加强部围绕的晶片的背面区域中形成圆形凹部。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片的加工方法用于对在表面具备器件区域和外周剩余区域的晶片进行加工,在所述器件区域形成有多个器件,所述外周剩余区域围绕所述器件区域,所述晶片的加工方法的特征在于,所述晶片的加工方法包括以下工序:保护部件粘贴工序,在该保护部件粘贴工序中,在晶片的表面侧粘贴保护部件;第一保持工序,在该第一保持工序中,利用第一卡盘工作台对粘贴有所述保护部件的晶片的表面侧进行保持,所述第一卡盘工作台具备第一保持面和与该第一保持面垂直的第一旋转轴;带锥度外周加强部形成工序,在该带锥度外周加强部形成工序中,切削刀具具有与所述第一卡盘工作台的所述第一保持面正交的第一面和第二面,且该切削刀具至少在所述第一面的外周形成有从所述第一面朝所述第二面倾斜的第一锥度面,一边使所述切削刀具旋转,一边以使所述第一锥度面朝向晶片的外周侧的方式将所述切削刀具定位在晶片的与所述器件区域的外周缘对应的背面侧的对应位置,并且,一边使所述第一卡盘工作台旋转,一边使所述切削刀具切入晶片以形成环状槽,并在晶片的整个背面侧外周部形成环状外周加强部,该环状外周加强部的环状内周面形成为随着从晶片的背面侧至表面侧而朝半径方向内侧倾斜的第二锥度面;第二保持工序,在该第二保持工序中,利用第二卡盘工作台来保持实施了所述带锥度外周加强部形成工序的晶片的表面侧,所述第二卡盘工作台具备第二保持面和与该第二保持面垂直的第二旋转轴;以及晶片磨削工序,在该晶片磨削工序中,磨轮呈环状地具备磨削磨具,所述磨削磨具具有与晶片的背面相对的磨削面,一边利用与所述磨削面垂直的第三旋转轴使所述磨轮旋转,一边使所述磨轮与由所述第二卡盘工作台保持的晶片的背面抵接,并且使所述第二卡盘工作台旋转,磨削晶片的与所述器件区域对应的背面,直到到达至少与在所述带锥度外周加强部形成工序中切削而成的环状槽的底部相同的深度为止,从而在由具有所述第二锥度面的所述环状外周加强部所围绕的晶片的背面区域形成圆形凹部。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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