[发明专利]高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法有效
| 申请号： | 201010541134.6 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102468131A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;李永亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法，主要步骤如下：1)在器件隔离形成后，在硅衬底上依次形成界面SiO2/高K栅介质/金属栅/多晶硅/硬掩膜叠层栅结构；2)光刻形成胶图形；3)刻蚀叠层栅结构；4)将步骤3的产品浸没于腐蚀溶液中去除聚合物，腐蚀溶液配比为氢氟酸0.2～1％，盐酸5～15％，其余为水。本发明采用氢氟酸(HF)/盐酸(HCl)混合的水溶液化学湿法腐蚀，在室温下就能去净叠栅两侧及硅衬底表面残留的聚合物，不仅保持陡直的叠栅刻蚀剖面，并对硅衬底不造成损伤，与CMOS工艺兼容性好，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 金属 栅叠层栅 结构 刻蚀 聚合物 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法，主要步骤如下：步骤1)在器件隔离形成后，在硅衬底上依次形成界面SiO2/高K栅介质/金属栅/多晶硅/硬掩膜叠层栅结构；步骤2)光刻形成胶图形；步骤3)刻蚀叠层栅结构；步骤4)将步骤3)的产品浸没于腐蚀溶液中去除聚合物，腐蚀溶液体积配比为氢氟酸0.2～1％，盐酸5～15％，其余为水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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